科學家們聲稱，他們能研制出一種優(yōu)質薄膜單晶硅，其厚度約為10μm、且晶體缺陷密度被降低。其硅密度降低到硅晶片的水平，而增長速度超出先前的10倍以上。
研究人員通過一種區(qū)域加熱重結晶方法(ZHR法)，將表面粗糙度降低到0.2-0.3nm。基底然后以高速生長，生產出具有高晶體質量的單晶薄膜。利用雙層多孔硅層可以很容易將長好的薄膜剝離下來，基底可重復使用或作為薄膜生長的蒸發(fā)源，從而大幅減少了材料損失。這一工藝同時顯示，表面粗糙度在0.1-0.2nm范圍以內對晶體缺陷的形成具有重要影響。
科學家們在聲明中表示，這種薄膜硅作為低成本的底部電池，應用在串聯(lián)型太陽能電池中，其效率有可能超過30%。
