項(xiàng)目以實(shí)現(xiàn)碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應(yīng)用為最終目標(biāo)，開(kāi)發(fā)了低缺陷SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)、攻克了氮化鎵二極管及增強(qiáng)型氮化鎵三極管設(shè)計(jì)技術(shù)、碳化硅二級(jí)管及MOSFET關(guān)鍵工藝和量產(chǎn)技術(shù)、高壓氮化鎵和碳化硅器件高頻驅(qū)動(dòng)技術(shù)、基于氮化鎵及碳化硅電力電子器件的新型光伏逆變器拓?fù)湓O(shè)計(jì)技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)方法。完成了基于GaN和SiC器件的逆變器示范應(yīng)用，形成對(duì)基于寬禁帶電力電子器件新型高效光伏逆變器及并網(wǎng)系統(tǒng)的整體展示。

　　

　　項(xiàng)目的實(shí)施，形成國(guó)內(nèi)GaN、SiC大功率光伏逆變器研發(fā)及生產(chǎn)產(chǎn)業(yè)鏈，有力地支撐了我國(guó)寬禁帶電力電子器件、裝置及相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。專家組一致認(rèn)為，該項(xiàng)目完成了立項(xiàng)通知規(guī)定的研究?jī)?nèi)容及主要考核指標(biāo)，同意通過(guò)驗(yàn)收。