保利協(xié)鑫“TS+”第二代黑硅片，開(kāi)創(chuàng)性地采用了“正面制絨”+“背面拋光”的獨(dú)特工藝，同時(shí)具備優(yōu)良的表面陷光性能和更優(yōu)的背面鈍化效果，更加兼容高效多晶PERC技術(shù)。自問(wèn)世以來(lái)，以其高效、穩(wěn)定的產(chǎn)品表現(xiàn)，獲得市場(chǎng)的一致好評(píng)。據(jù)了解，“TS+”第二代黑硅片制絨成本降低約30%，背面拋光工藝更適用于PERC技術(shù)，通過(guò)一系列工藝技術(shù)優(yōu)化，“TS+”第二代黑硅片的電池效率增益將提升至0.5%，而組件功率增益也將提升至5W（60片）。

　　

　　硅片端的技術(shù)升級(jí)為后序的電池端帶來(lái)良好收益。5月27日，協(xié)鑫集成重磅發(fā)布了超高效300W+系列新品，4款高度集成協(xié)鑫最新前沿技術(shù)的MBB新多單晶高效組件正式亮相。其中，應(yīng)用了“TS+”第二代黑硅片的300W+單玻系列MBB多晶組件，量產(chǎn)功率達(dá)305W，是全球量產(chǎn)效率最高的多晶常規(guī)版型組件，超過(guò)應(yīng)用領(lǐng)跑者滿(mǎn)分指標(biāo)。

　　

　　保利協(xié)鑫以出色的硅料品質(zhì)、持續(xù)降低的鑄錠單位能耗、金剛線切片技術(shù)改造助力多晶硅片繼續(xù)保持性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)，通過(guò)技術(shù)升級(jí)和工藝改進(jìn)，多晶硅片每年可以提升0.1%-0.2%的轉(zhuǎn)換效率。此外，保利協(xié)鑫儲(chǔ)備多年的鑄錠單晶技術(shù)將迎來(lái)市場(chǎng)化，鑄錠單晶硅片下個(gè)月將接受客戶(hù)訂單。繼金剛線切黑硅片之后，鑄錠單晶硅片也將成為對(duì)市場(chǎng)有重大影響的差異化產(chǎn)品，進(jìn)一步縮小同直拉單晶硅片之間的效率差距，而且將在性?xún)r(jià)比方面具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。