盛健介紹，2017，保利協(xié)鑫已有85%多晶出貨變成金剛線切片。從國內(nèi)來看，2018年金剛線切片會(huì)占到90%，砂漿切割在國內(nèi)會(huì)逐漸消失。金剛線切割多晶硅片成本優(yōu)勢(shì)非常明顯。金剛線切片在制絨上的挑戰(zhàn)，行業(yè)已有完善的解決方案，濕法黑硅技術(shù)正在不斷實(shí)現(xiàn)突破，產(chǎn)業(yè)化方案已經(jīng)成熟，成本接近0.1元/片，且將繼續(xù)降低。而成熟的RIE、MCCE黑硅絨面技術(shù)疊加高效背鈍化電池技術(shù)，使得多晶PERC效率持續(xù)走高。“金剛線切片+PERC+黑硅”已經(jīng)被公認(rèn)為多晶提質(zhì)降本的主流方向。

　　

　　從近日完成的領(lǐng)跑基地招標(biāo)情況來看，雙面發(fā)電組件的市場(chǎng)會(huì)被逐漸打開，盛健介紹，協(xié)鑫集成雙面多晶PERC電池也走向產(chǎn)業(yè)化，雙面多晶PERC技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)低、兼容性好，組件工藝易匹配。跟單晶相比，多晶雙面率與單晶相差無幾，可以達(dá)到70%，未來還是有進(jìn)一步的優(yōu)化空間。多晶PERC與MBB技術(shù)或半片技術(shù)疊加，可讓多晶電池效率進(jìn)一步觸摸新高。

　　

　　MBB技術(shù)不久之后將成為市場(chǎng)主流已成為業(yè)內(nèi)共識(shí)。除了有效率增益之外，MBB技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)在于，節(jié)省銀漿降低成本，抗隱裂可靠性提升，高顏值又可以兼容半片的技術(shù)，未來還可以其他疊加新技術(shù)。盛健介紹，MBB技術(shù)讓電池效率增加0.2%，正面銀漿單耗下降25%。從焊接工藝來說，國內(nèi)多主柵串焊機(jī)采用傳統(tǒng)焊接法，趨于成熟，制程良率等指標(biāo)接近常規(guī)水平。協(xié)鑫集成MBB組件可靠性測(cè)試及加嚴(yán)測(cè)試功率衰減遠(yuǎn)小于IEC標(biāo)準(zhǔn)，傳統(tǒng)焊接方式，可滿足戶外長(zhǎng)期使用條件，MBB組件對(duì)微小隱裂容忍度提升，小隱裂對(duì)功率輸出影響小。

　　

　　與此同時(shí)，另一股熱潮也正在行業(yè)形成，那就是切半組件技術(shù)。盛健表示，目前激光切半技術(shù)方案，產(chǎn)業(yè)化成熟度高，切半后更低的內(nèi)部電流，降低組件功率損耗，與黑硅PERC疊加應(yīng)用效果較好，另外，切半組件采用分體式接線盒，熱效應(yīng)更低。切半+1500V的系統(tǒng)應(yīng)用，更有助于降低系統(tǒng)損耗，切半組件可以使CTM提升約2%。如果切半技術(shù)與MBB疊加，可以進(jìn)一步提升組件功率。

　　

　　盛健介紹，協(xié)鑫集成金剛線高效黑硅PERC疊加MBB技術(shù)電池平均效率超過20.8%，組件CTM大于98%，主流檔位295W以上組件占比大于96%，其中300W以上比例超過56%。據(jù)了解，整個(gè)行業(yè)多晶PERC發(fā)展比預(yù)測(cè)要慢，主要掣肘來自行業(yè)對(duì)多晶PERC投資比較少。很多人認(rèn)為多晶PERC的LeTID衰減還未得到解決，所以對(duì)此投資比較謹(jǐn)慎。值得一提的是，協(xié)鑫集成多晶高效PERC的LeTID問題已經(jīng)可以被解決，穩(wěn)定后的LeTID衰減可控制在1.5%以內(nèi)，適合量產(chǎn)。盛健認(rèn)為，多晶LeTID處理相對(duì)復(fù)雜，但是未來控制在1%以內(nèi)是有可能的。

　　

　　“2019年，協(xié)鑫集成將主推雙面產(chǎn)品，屆時(shí)雙面多晶效率會(huì)達(dá)到21.3%，組件功率達(dá)到315W。更高質(zhì)量的硅片通過先進(jìn)接觸鈍化技術(shù)、MBB、切半等各種高效技術(shù)疊加與優(yōu)化，到2020年我們的產(chǎn)業(yè)化目標(biāo)是多晶效率要達(dá)到21.5%。”盛健介紹，既要提升效率又要降低成本，未來是一條難走的荊棘之路，但是他相信協(xié)鑫將堅(jiān)持理論研究及實(shí)踐研究并行，在努力與汗水中不斷實(shí)現(xiàn)協(xié)鑫人自己描繪的藍(lán)圖。

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