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PERC、MBB、半片、疊片等,盤(pán)點(diǎn)近年來(lái)的光伏熱門(mén)技術(shù)

光伏產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊 發(fā)布日期:2019-08-15
核心提示: PERC、MBB、半片、疊片等,盤(pán)點(diǎn)近年來(lái)的光伏熱門(mén)技術(shù)。
 近年來(lái)有哪些光伏熱門(mén)技術(shù)?

金剛線切片技術(shù)

晶體硅材料的切割工序占光伏行業(yè)非硅成本的比重較高,金剛線切割是一種切削加工的新技術(shù),即將金剛石采用粘接和電鍍的方式固金剛線切片定 在直拉鋼線上進(jìn)行高速往返切削。金剛線切片的成本低于傳統(tǒng)砂漿切片,單品的金剛線切片成本略低于多晶金剛線切片。目前,單晶切片基本已經(jīng)普及金剛線切片,多晶正由砂漿切片快速向金剛線切片過(guò)渡。

PERC電池(鈍化發(fā)射極和背面電池技術(shù))

該技術(shù)與常規(guī)電池最大的區(qū)別在于背表面介質(zhì)膜鈍化,采用局域金PERC電池屬接觸, 有效降低背表面的電子復(fù)合速度,同時(shí)提升了背表面的光鈍化發(fā)射反射。在市場(chǎng)方面,2018 年底,全球PERC電池產(chǎn)能約為70GW,2018年全年P(guān)ERC電池產(chǎn)量超過(guò)55GW:預(yù)計(jì)2019年底全球范圍內(nèi)的PERC產(chǎn)能接近100GW,未來(lái)幾年P(guān)ERC電池將進(jìn)一步維持在高效電池產(chǎn)品的主流地位。

“金剛線+黑硅” 技術(shù)

黑硅技術(shù)是指,針對(duì)常規(guī)制絨C藝表面反射率高并有明顯線痕的缺陷增加了一道表面制絨工藝,降低了表面反射率,從而改善硅片光吸收能力和電池效率。干法黑硅技術(shù)工藝穩(wěn)定成熟,絨面結(jié)構(gòu)均勻, 效率提升最高,但需要新增成本較高的設(shè)備和工序。受限于設(shè)備的高資本支出,干法黑硅目前主要在部分一線電池廠家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),如晶澳、品科、協(xié)鑫集成、中節(jié)能等,仍有繼續(xù)發(fā)展的市場(chǎng)空間。濕法黑硅技術(shù)新增成本支出相對(duì)較小,可實(shí)現(xiàn)0.3%-0.5%的效率提開(kāi)。

雙面電池技術(shù)

雙面電池是近年光伏企業(yè)另一項(xiàng)重點(diǎn)突破的技術(shù)之一,和常規(guī)電池相比,該款電池主要增加了雙面漿料印刷和硼元素?fù)诫s(如旋涂、印刷高溫推進(jìn)和固態(tài)源擴(kuò)散等)等工藝。這種電池的特點(diǎn)也是雙面雙面皆可吸收入射光線,從而提升電池和組件的發(fā)電量。以公司雙面雙核單晶72片組件為例,根據(jù)不同的實(shí)際發(fā)電環(huán)境,背面增益約在10%-25%左右,發(fā)電量提升最大可達(dá)25%。N型單晶雙面電池方面在近年也逐步釋放產(chǎn)能。

MBB技術(shù)

該技術(shù)采用12條柵線設(shè)計(jì),增加?xùn)啪€對(duì)電流的收集能力同時(shí)降低了內(nèi)損,并破少了遮光面積、增大有效受光面積.,得組件功率至少提升一個(gè)檔位(5W):另外, MBB區(qū)別于傳統(tǒng)主櫥與焊帶的設(shè)計(jì),12柵設(shè)計(jì)使得柵線的殘余應(yīng)力有效降低,電池出現(xiàn)隱裂的幾率大大降低:而且.由于柵線間隔小,即使電池片出現(xiàn)隱裂、碎片,MBB電池功損率減少,也能繼續(xù)保持較好的發(fā)電輸出。

疊片電池組件

利用切片技術(shù)將柵線重所設(shè)計(jì)的電池片切割成合理圖形的小片,將每小片疊加排布,燁接制作成串,再經(jīng)過(guò)串并聯(lián)排版后層壓成組件。這樣使得電池以更緊密的方式互相連結(jié),在相同的面積下,疊片組件可以放置多于常規(guī)組件13%以上的電池片,并且由于此組件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化,采用無(wú)焊帶設(shè)計(jì),大大減少了組件的線損,大幅度提高了組件的輸出功率。具有更高效率、更低損耗的特點(diǎn)。疊片技術(shù)無(wú)疑將對(duì)國(guó)內(nèi)的高效組件封裝技術(shù)帶來(lái)革命性影響。

半片電池

半片電池組件將一般的電池對(duì)切后串聯(lián)起來(lái),電池片電流失配損失減小,組件內(nèi)部的電流損耗減少,輸出功率比同版型整片電池組件高約10w,熱斑溫度比同版型整片電池組件的溫度低約25C.

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